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NXH015P120M3F1PTG

Name: onsemi NXH015P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH015P12M3F1PTG
Price: 65.11 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NXH015P12M3F1PTG

Fabr. N.º:

NXH015P120M3F1PTG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NXH015P120M3F1PTG Hoja de datos

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	65,11 €	65,11 €
	58,15 €	581,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	PIM-18
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Id: corriente de drenaje continuo:	77 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	20 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.4 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	198 W
Serie:	NXH015P120M3F1PTG
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Half-Bridge
Tiempo de caída:	8 ns
Altura:	12.35 mm
Longitud:	63.3 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	28
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tipo:	Half Bridge
Tiempo típico de retraso de apagado:	94 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25 ns
Anchura:	34.1 mm

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Hoja de datos

NXH015P120M3F1PTG Hoja de datos

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

onsemi NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules contain 8mΩ/1200V, 10mΩ/1200V, 15mΩ/1200V, and 30mΩ/1200V M3S SiC MOSFETs based on half-bridge topology and a thermistor in a F1 package. These modules feature pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The NXH0xxP120M3F1 modules are designed with press-fit pins and are Pb-free, Halide-free, and RoHS-compliant. These power modules are used in solar inverters, industrial power, Electric Vehicle (EV) charging stations, and Uninterruptible Power Supplies (UPS).