NVXK2VR80WDT2

onsemi
863-NVXK2VR80WDT2
NVXK2VR80WDT2

Fabr.:

Descripción:
Módulos MOSFET APM32 SIC POWER MODULE

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
6 Channel
1.2 kV
20 A
116 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 55 C
+ 175 C
82 W
NVXK2VR80WDT2
Tube
Marca: onsemi
Configuración: 3-Phase Bridge
Tiempo de caída: 9 ns
Altura: 5.8 mm
Longitud: 44.2 mm
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento: 12 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 10
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tipo: Power Module
Tiempo típico de retraso de apagado: 21 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 12 ns
Anchura: 29 mm
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país puede cambiar en el momento del envío.

NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules are 1200V, 80mΩ 3-phase bridge power modules housed in a Dual Inline Package (DIP). These SiC modules are compactly designed to have low total module resistance. The NVXK2VR80WxT2 power modules are automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. These power modules are lead-free and ROHS, UL94V-0 compliant. The NVXK2VR80WxT2 SiC modules' temperature sensing and the lowest thermal resistance make them ideal for PFC onboard chargers in xEV applications.

En existencias: 60

Existencias:
60 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
21 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
49,16 € 49,16 €
40,14 € 401,40 €
39,19 € 3.919,00 €

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