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T2G4005528-FS

Name: Qorvo T2G4005528-FS
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G4005528-FS
Price: 281.18 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

772-T2G4005528-FS

Fabr. N.º:

T2G4005528-FS

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Hoja de datos:

T2G4005528-FS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Empaquetado / Estuche:	NI-360
Polaridad de transistor:	N-Channel
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	16 dB
Frecuencia operativa máxima:	3.5 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	55 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	T2G4005528
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Tipo:	GaN SiC HEMT
Alias de parte #:	T2G4005528 1099993

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KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.