T2G4005528-FS

Qorvo
772-T2G4005528-FS
T2G4005528-FS

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
NI-360
N-Channel
3.5 GHz
GaN
Marca: Qorvo
Ganancia: 16 dB
Sensibles a la humedad: Yes
Energía de salida: 55 W
Empaquetado: Tray
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: T2G4005528
Cantidad del paquete de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: HEMT
Tipo: GaN SiC HEMT
Alias de parte #: T2G4005528 1099993
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 100   Múltiples: 100
Precio unitario:
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Precio total:
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Precio (EUR)

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