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UG4SC075005L8S

Name: onsemi UG4SC075005L8S
Brand: onsemi
SKU: 772-UG4SC075005L8S
Price: 44.87 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

772-UG4SC075005L8S

Fabr. N.º:

UG4SC075005L8S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

JFET UG4SC075005L8S

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	44,87 €	44,87 €
	38,09 €	380,90 €
	35,75 €	3.575,00 €
	35,74 €	17.870,00 €
	35,73 €	35.730,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	33,11 €	66.220,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	JFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	MO-229-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 30 V to 30 V
Corriente de drenaje de la fuente en Vgs=0:	6 uA
Id: corriente de drenaje continuo:	120 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5 mOhms
Pd (disipación de potencia):	1.153 kW
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	UG4S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors

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PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Combo-FETs

onsemi Combo-FETs are revolutionary devices that combine a low R_DS(on) onsemi SiC JFET with a Si MOSFET in a single, compact package. Explicitly designed for low-frequency protection applications, such as solid-state circuit breakers, battery disconnects, and surge protection, these Combo-FETs allow users access to the JFET gate to optimize the design. Integrating the Si MOSFET in these onsemi Combo-FETs ensures a normally off solution, achieving a size reduction of over 25% compared to discrete implementations.

UG4SC 750V 8.4mΩ Combo-FETs

onsemi UG4SC 750V 8.4mΩ Combo-FETs combine a 750V SiC JFET and a low-voltage Si MOSFET in a single TO-247-4L package. This design enables a normally off switch while benefiting from the ultra-low on-resistance [R_DS(on)] and robustness of a normally on SiC JFET. The UG4SC Combo-FET series from onsemi is ideal for high-energy switching in circuit protection. For switch-mode power conversion, the devices offer separate gate access to the JFET and MOSFET, enhancing speed control and simplifying the paralleling of multiple devices.