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NVMFWS2D3N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS2D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS2D3N04XMT1G
Price: 1.82 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-VMFWS2D3N04XMT1G

Fabr. N.º:

NVMFWS2D3N04XMT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,82 €	1,82 €
	1,16 €	11,60 €
	0,779 €	77,90 €
	0,632 €	316,00 €
	0,566 €	566,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,566 €	849,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	121 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.35 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	22.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	63 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	89.2 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5.1 ns
Serie:	NVMFWS2D3N04XM
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	23.4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15.2 ns

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Hoja de datos

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PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.