Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

NVMFWD040N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWD040N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWD040N10MCLT1G
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-MFWD040N10MCLT1G

Fabr. N.º:

NVMFWD040N10MCLT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NVMFWD040N10MCLT1G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NVMFWD040N10MCLT1G

En existencias: 1.500

Existencias:: 1.500 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 41 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,75 €	1,75 €
	1,12 €	11,20 €
	0,748 €	74,80 €
	0,593 €	296,50 €
	0,483 €	483,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,482 €	723,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	21 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	39 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	36 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	1.7 ns
Serie:	NVMFD040N10MCL
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVMFWD040N10MCLT1G Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

NVMFDx 100V Dual N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFDx 100V Dual N-Channel Power MOSFETs are high-efficiency, compact solutions designed for demanding power switching applications. These MOSFETs feature low R_DS(on) values and fast switching characteristics, making the onsemi NVMFDx ideal for use in DC-DC converters, motor drives, and battery management systems. Housed in a space-saving DFN-8 package, these MOSFETs support high current handling and thermal performance, which is critical for automotive, industrial, and consumer electronics. Each variant offers different current and resistance profiles to suit specific design needs, while maintaining robust avalanche energy ratings and low gate charge for improved efficiency and reliability in high-performance power systems.