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NVMFS5C466NLT1G

Name: onsemi NVMFS5C466NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C466NLT1G
Price: 1.84 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVMFS5C466NLT1G

Fabr. N.º:

NVMFS5C466NLT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

Hoja de datos:

NVMFS5C466NLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,84 €	1,84 €
	1,18 €	11,80 €
	0,792 €	79,20 €
	0,63 €	315,00 €
	0,515 €	515,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,515 €	772,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8FL-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	52 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	16 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	37 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	33 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Serie:	NVMFS5C466NL
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	29 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns
Peso unitario:	750 mg

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Hoja de datos

NVMFS5C466NLT1G Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Fairchild ofrece la gama de MOSFET PowerTrench® más amplia del sector. Elija entre las diferentes tecnologías para obtener el MOSFET adecuado para su aplicación. Fairchild ofrece versiones de canal N y canal P de los MOSFET con su avanzado proceso Power Trench®, que ha sido optimizado para un rendimiento de conmutación R_DS(ON) bajo y para mejorar su resistencia. Estos MOSFET PowerTrench® se ofrecen con opciones para satisfacer las necesidades de la mayoría de aplicaciones, como conmutadores de carga, conmutación primaria, dispositivos móviles, convertidores CC-CC, rectificadores síncronos y mucho más.
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