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NVMFS5C456NLAFT1G-YE

Name: onsemi NVMFS5C456NLAFT1G-YE
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5C456NLAFT1GYE
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-FS5C456NLAFT1GYE

Fabr. N.º:

NVMFS5C456NLAFT1G-YE

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T6 40V NCH LL IN S08FL

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,18 €	1,18 €
	0,74 €	7,40 €
	0,489 €	48,90 €
	0,402 €	201,00 €
	0,347 €	347,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,317 €	475,50 €
	0,287 €	861,00 €
	0,276 €	2.484,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	87 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	18 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	55 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	54 ns
Serie:	NVMFS5C456NL
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	34 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

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NVMFS5C456NLAFT1G-YE Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.