Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

NVMFS5C442NLAFT1G-YE

Name: onsemi NVMFS5C442NLAFT1G-YE
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5C442NLAFT1GYE
Price: 1.39 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-FS5C442NLAFT1GYE

Fabr. N.º:

NVMFS5C442NLAFT1G-YE

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T6 40V S08FL

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NVMFS5C442NLAFT1G-YE Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NVMFS5C442NLAFT1G-YE

En existencias: 1.312

Existencias:: 1.312 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 29 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,39 €	1,39 €
	0,886 €	8,86 €
	0,591 €	59,10 €
	0,484 €	242,00 €
	0,439 €	439,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,39 €	585,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	130 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	50 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	83 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8.3 ns
Serie:	NVMFS5C442NL
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	28 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVMFS5C442NLAFT1G-YE Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.