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NVMFS5C410NWFHT1G

Name: onsemi NVMFS5C410NWFHT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFS5C410NWFHT1G
Price: 2.71 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-VMFS5C410NWFHT1G

Fabr. N.º:

NVMFS5C410NWFHT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T6-D3F 40V NFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NVMFS5C410NWFHT1G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,71 €	2,71 €
	1,76 €	17,60 €
	1,21 €	121,00 €
	0,98 €	490,00 €
	0,877 €	877,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,877 €	1.315,50 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	300 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	920 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	86 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	166 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	173 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	162 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	227 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	54 ns

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Hoja de datos

NVMFS5C410NWFHT1G Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.