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NVMFS4C305NET1G-YE

Name: onsemi NVMFS4C305NET1G-YE
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFS4C305NET1GYE
Price: 1.15 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-VMFS4C305NET1GYE

Fabr. N.º:

NVMFS4C305NET1G-YE

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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	1,15 €	1,15 €
	0,722 €	7,22 €
	0,478 €	47,80 €
	0,374 €	187,00 €
	0,34 €	340,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,31 €	465,00 €
	0,296 €	888,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8FL
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	127 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.8 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	30 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	79 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	26 ns
Serie:	NVMFS4C05N
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	26 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns

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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Estados Unidos

El país puede cambiar en el momento del envío.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.