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NVMFD5C680NLWFT1G

Name: onsemi NVMFD5C680NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C680NLWFT
Price: 2.24 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVMFD5C680NLWFT

Fabr. N.º:

NVMFD5C680NLWFT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T6 60V LL S08FL DS

Hoja de datos:

NVMFD5C680NLWFT1G Hoja de datos

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	2,24 €	2,24 €
	1,44 €	14,40 €
	0,98 €	98,00 €
	0,809 €	404,50 €
	0,664 €	664,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,664 €	996,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8FL-Dual-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	26 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	23 mOhms, 23 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.2 V
Qg (carga de compuertas):	5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	19 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	23 ns, 23 ns
Transconductancia delantera: mín.:	50 S, 50 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	25 ns, 25 ns
Serie:	NVMFD5C680NL
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	13 ns, 13 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6.4 ns, 6.4 ns
Peso unitario:	161,193 mg

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Hoja de datos

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Estados Unidos

El país puede cambiar en el momento del envío.

NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.