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NTTFS007P02P8

Name: onsemi NTTFS007P02P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS007P02P8
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTTFS007P02P8

Fabr. N.º:

NTTFS007P02P8

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET Power MOSFET, Single, P-Channel, -20V, 6.5mohm, -56A, PQFN8 3x3 P-Channel, -20V, 6.5m ohms, PQFN8 3x3

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NTTFS007P02P8 Hoja de datos (PDF)

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	0,657 €	6,57 €
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	0,522 €	261,00 €
	0,504 €	504,00 €
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	0,458 €	1.374,00 €
	0,447 €	2.682,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PQFN-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	56 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	6.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	44 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	30 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	68 ns
Transconductancia delantera: mín.:	80 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	33 ns
Serie:	NTTFS007P02P8
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	119 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	19 ns

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Hoja de datos

NTTFS007P02P8 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTTFS007P02P8 P-Channel Low/Medium Voltage MOSFET

onsemi NTTFS007P02P8 P-Channel Low/Medium Voltage MOSFET is built using high-performance PowerTrench technology for extremely low R_DS(on)switching performance and ruggedness. This P-channel MOSFET offers high power and current-handling capabilities in a widely used surface-mount package. The NTTFS007P02P8 MOSFET features -20V drain to source voltage, ±8V gate to source voltage, 3.8°C/W thermal resistance, junction to case, and 4.5Ω gate resistance. This P-channel MOSFET is Pb-free, Halide-free, and RoHS compliant. Typical applications include load switch, battery management, power management, and reverse polarity protection.