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NTMJS2D5N06CLTWG

Name: onsemi NTMJS2D5N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMJS2D5N06CLTWG
Price: 2.32 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMJS2D5N06CLTWG

Fabr. N.º:

NTMJS2D5N06CLTWG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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	1,02 €	102,00 €
	0,82 €	410,00 €
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	0,71 €	2.130,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	31 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.2 V
Qg (carga de compuertas):	24 nC, 52 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	113 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	286 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	55 ns
Serie:	NTMJS2D5N06CL
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1-N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	37 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Peso unitario:	99,445 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.