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NTK3134NT5G

Name: onsemi NTK3134NT5G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTK3134NT5G
Price: 0.29 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

863-NTK3134NT5G

Fabr. N.º:

NTK3134NT5G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 20V/6V N CH T1

Hoja de datos:

NTK3134NT5G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 112.000

Fecha prevista: 24/07/2026

144.000

88.000

Fecha prevista: 29/01/2027

56.000

Fecha prevista: 27/10/2027
Plazo de producción de fábrica:: 52

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 8000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,292 €	0,29 €
	0,175 €	1,75 €
	0,101 €	10,10 €
	0,086 €	43,00 €
	0,075 €	75,00 €
	0,065 €	162,50 €
	0,043 €	215,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 8000)
	0,043 €	344,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-723-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	890 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	200 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	450 mV
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	550 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4.8 ns
Serie:	NTK3134N
Cantidad del paquete de fábrica:	8000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	17.3 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6.7 ns
Peso unitario:	1,275 mg

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Hoja de datos

NTK3134NT5G Hoja de datos

PCN

SPICE Models

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Taiwán

El país puede cambiar en el momento del envío.

NTK3134N Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NTK3134N Single N-Channel Power MOSFETs with ESD protection are robust MOSFETs optimized for high-efficiency switching applications. Encased in a compact 3-lead SOT-723 package, the onsemi NTK3134N components deliver a low R_DS(on)of 0.20Ω at 4.5V, minimizing conduction losses and enhancing thermal performance. With a drain-source voltage rating of 20V and a steady-state continuous drain current capability of 890mA (maximum), the NTK3134N MOSFETs are ideal for use in portable electronics, DC-DC converters, and load switch circuits. Fast switching speeds and low gate charge contribute to reduced power consumption and improved overall system efficiency, making these MOSFETs a reliable choice for space-constrained, power-sensitive designs.