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NTJS3151PT1G

Name: onsemi NTJS3151PT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTJS3151PT1G
Price: 0.54 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTJS3151PT1G

Fabr. N.º:

NTJS3151PT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 12V 3.3A P-Channel

Hoja de datos:

NTJS3151PT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,542 €	0,54 €
	0,333 €	3,33 €
	0,212 €	21,20 €
	0,161 €	80,50 €
	0,144 €	144,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,114 €	342,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

NTJS3151PT2G

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,57 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SC-88-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	12 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.3 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	133 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.2 V
Qg (carga de compuertas):	8.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	625 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	1.5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	15 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	1.5 ns
Serie:	NTJS3151P
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	3.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	0.86 ns
Peso unitario:	6,200 mg

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Hoja de datos

NTJS3151PT1G Hoja de datos

PCN

SPICE Models

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Taiwán

El país puede cambiar en el momento del envío.

NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs

onsemi NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs are high-performance MOSFETs designed for efficient switching applications. Housed in a compact SC-88 (SOT-363) 2mm x 2mm package, these onsemi MOSFETs offer a low R_DS(on) of just 45mΩ at -4.5V, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. With a maximum drain current of -3.3A and a drain-source voltage rating of -12V, the NxJS3151P devices are well-suited for load switching in portable and battery-powered devices. The ultra-low gate charge and fast switching characteristics contribute to enhanced energy efficiency, making the onsemi NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs ideal for space-constrained designs where power density and reliability are critical.