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NGTB40N120FL3WG

Name: onsemi NGTB40N120FL3WG
Brand: onsemi
SKU: 863-NGTB40N120FL3WG
Price: 5.7 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NGTB40N120FL3WG

Fabr. N.º:

NGTB40N120FL3WG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

IGBT IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A

Hoja de datos:

NGTB40N120FL3WG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.7 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	80 A
Pd (disipación de potencia):	454 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	NGTB40N120FL3
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	4,083 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NGTB25N/NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors

onsemi NGTB25N and NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) feature a robust and cost-effective Ultra Field Stop Trench construction. Low switch losses and an ultra-fast recovery diode make them ideal for high frequency solar, UPS and inverter welder applications. Incorporated into these onsemi devices is a soft and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.