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NCV57001FDWR2G

Name: onsemi NCV57001FDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001FDWR2G
Price: 3.79 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NCV57001FDWR2G

Fabr. N.º:

NCV57001FDWR2G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

Hoja de datos:

NCV57001FDWR2G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,79 €	3,79 €
	2,20 €	22,00 €
	2,18 €	54,50 €
	2,02 €	202,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	2,02 €	2.020,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:
Serie:	NCV57001FDWR2G
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Tiempo de caída:	15 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Inverting, Non-Inverting
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	4 A
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo de producto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tensión del suministro - Máx:	5 V
Tensión del suministro - Mín:	3.3 V

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Hoja de datos

NCV57001FDWR2G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV57001F IGBT Gate Driver

onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation designed for high system efficiency and reliability. This gate driver features complementary inputs, open-drain FAULT, and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. This gate driver provides >5kV_rms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_iorm (working voltage) capabilities. Typical applications include automotive power supplies, hybrid/electric vehicle (HEV/EV) powertrains, BSG inverters, and positive temperature coefficient (PTC) heaters.