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NCV57001DWR2G

Name: onsemi NCV57001DWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001DWR2G
Price: 5.17 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NCV57001DWR2G

Fabr. N.º:

NCV57001DWR2G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT gate driver

Hoja de datos:

NCV57001DWR2G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,17 €	5,17 €
	3,59 €	35,90 €
	3,29 €	82,25 €
	2,61 €	261,00 €
	2,50 €	625,00 €
	2,37 €	1.185,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	2,22 €	2.220,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:
Serie:	NCV57001
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-16
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Pd (disipación de potencia):	1.4 W
Retardo de propagación (máx.):	90 ns
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Tiempo de caída:	15 ns
Cualificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Inverting, Non-Inverting
Tiempo de retraso de apagado máximo:	90 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	90 ns
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de suministro operativa:	4.8 mA
Corriente de salida:	4 A
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo de producto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tensión del suministro - Máx:	5 V
Tensión del suministro - Mín:	3.3 V

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NCV57001DWR2G Hoja de datos

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

Galvanically Isolated High Current Gate Drivers

onsemi Galvanically Isolated High Current Gate Drivers offer high transient and electromagnetic immunity. The NCx5700x is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The drivers feature complementary inputs, open-drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, soft turn-off at DESAT, and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs for system design convenience. The NCx5700x accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. These onsemi devices provide >5kV_RMS (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_IORM (working voltage) capabilities. The NCx5700x series is available in the wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output to fulfill reinforced safety insulation requirements.

NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers

onsemi NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers with internal galvanic isolation are designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The NCV57001's features include complementary inputs, open drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. The device allows both 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. The device provides >5kV_rms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_iorm (working voltage) capabilities. The NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Driver is packaged to fulfill reinforced safety insulation requirements. The device is offered in a wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output.