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NCP51561DBDWR2G

Name: onsemi NCP51561DBDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCP51561DBDWR2G
Price: 3.25 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NCP51561DBDWR2G

Fabr. N.º:

NCP51561DBDWR2G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver

Hoja de datos:

NCP51561DBDWR2G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	2,45 €	24,50 €
	2,23 €	55,75 €
	2,03 €	203,00 €
	1,93 €	482,50 €
	1,80 €	900,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	1,75 €	1.750,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:
Serie:	NCP51561
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-16
Número de canales:	2 Channel
Voltaje de aislamiento:	5 kVrms
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Retardo de propagación (máx.):	58 ns
Tiempo de establecimiento:	11 ns
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Voltaje de entrada - Máx:	5 V
Voltaje de entrada - Mín:	3 V
Tiempo de retraso de apagado máximo:	58 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	58 ns
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Corriente de salida:	4.5 A, 9 A
Voltaje de salida:	18.5 V to 30 V
Producto:	Gate Driver
Tipo de producto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tensión del suministro - Máx:	5 V
Tensión del suministro - Mín:	3 V

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Hoja de datos

NCP51561DBDWR2G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCP51561 5kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Drivers

onsemi NCP51561 5kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Drivers are designed for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches. The 4.5A/9.0A NCP51561 Gate Drivers offer short and matched propagation delays. Two independent and 5kV_RMS (UL1577 rating) galvanically isolated gate driver channels can be used in any possible configurations of two low-side, two high-side switches, or a half-bridge driver with programmable dead time. An enable pin shutdown both outputs simultaneously when it is set low. The NCP51561 Gate Drivers integrate other important protection functions such as independent under-voltage lockout for gate drivers and enable functions.

Industrial Motor Drives

onsemi Industrial Motor Drives are designed for global sustainability, supplying efficient, renewable technologies and intelligent power. According to the 2020 Motor System Market Analysis (MSMA), published by the US Department of Energy (DOE), industrial pumps and drives annually consume almost 15% of the total US grid. The 2020 MSMA also estimates that 32.3 million metric tons of CO₂ emissions can be saved annually using VFDs. onsemi manufactures a broad range of VFD semiconductor components, including gate drivers, MOSFETs, IGBTs, and EliteSiC.