NCD57530DWKR2G

onsemi
863-NCD57530DWKR2G
NCD57530DWKR2G

Fabr.:

Descripción:
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Isolated Dual-Channel IGBT Gate Driver with >8mm Creepage and Clearance

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 990

Existencias:
990 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
25 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 990 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
3,98 € 3,98 €
3,03 € 30,30 €
2,79 € 69,75 €
2,53 € 253,00 €
2,40 € 600,00 €
2,23 € 1.115,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
2,17 € 2.170,00 €
2,11 € 4.220,00 €
2,10 € 10.500,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:  
NCD57540
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
1.06 W
90 ns
12 ns
10 ns
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Non-Inverting
Características: High Common Mode Transient Immunity
Voltaje de entrada - Máx: 20 V
Voltaje de entrada - Mín: 3.3 V
Número de controladores: 2 Driver
Número de salidas: 2 Output
Corriente de suministro operativa: 10 mA
Corriente de salida: 6.5 A
Voltaje de salida: 100 mV, 14.8 V
Producto: Isolated Gate Drivers
Tipo de producto: Galvanically Isolated Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: Si
Tipo: High-Side, Low-Side
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCx575x0 Isolated Dual Channel IGBT Gate Drivers

onsemi NCx575x0 Isolated Dual-Channel IGBT Gate Drivers feature 5kVRMS internal galvanic isolation from input to each output and functional isolation between the two output channels. The NCx575x0 achieves 3.3V to 20V bias voltage and signal levels on the input side and up to 32V bias voltage on the output side.