HGTP10N120BN

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Mouser REF:

512-HGTP10N120BN

Fabr. N.º:

HGTP10N120BN

Fabr.:

onsemi

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.45 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	35 A
Pd (disipación de potencia):	298 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	HGTP10N120BN
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector Ic Máx.:	35 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	+/- 250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	IGBTs
Alias de parte #:	HGTP10N120BN_NL
Peso unitario:	1,800 g