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FQH8N100C

Name: onsemi FQH8N100C
Brand: onsemi
SKU: 512-FQH8N100C
Price: 5.26 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

512-FQH8N100C

Fabr. N.º:

FQH8N100C

Fabr.:

onsemi

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.45 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	70 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	225 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	QFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	80 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	95 ns
Serie:	FQH8N100C
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	122 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	50 ns
Peso unitario:	6 g