FGH60T65SQD-F155

onsemi
863-FGH60T65SQD-F155
FGH60T65SQD-F155

Fabr.:

Descripción:
IGBT 650V 60A FS4 TRENCH

Modelo ECAD:
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En existencias: 67

Existencias:
67 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
13 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,48 € 5,48 €
3,75 € 37,50 €
2,60 € 312,00 €
2,49 € 1.269,90 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
333 W
- 55 C
+ 175 C
FGH60T65SQD-F155
Tube
Marca: onsemi
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 8,233 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República Checa
El país puede cambiar en el momento del envío.

FGH60T65SQD-F155 IGBTs

onsemi FGH60T65SQD-F155 IGBTs use novel field stop IGBT technology. The onsemi FGH60T65SQD-F155 are 4th generation IGBTs that offer optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS, and PFC applications. The IGBTs can be used where low conduction and switching losses are essential.