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FFSD2065B

Name: onsemi FFSD2065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSD2065B
Price: 3.53 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-FFSD2065B

Fabr. N.º:

FFSD2065B

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE DPAK 650V

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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	3,53 €	3,53 €
	2,47 €	24,70 €
	2,19 €	219,00 €
	2,14 €	1.070,00 €
	2,12 €	2.120,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	2,02 €	5.050,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	20 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.38 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	80 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSD2065B
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Pd (disipación de potencia):	160 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V

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PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.