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FDP3672

Name: onsemi FDP3672
Brand: onsemi
SKU: 512-FDP3672
Price: 2.32 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

512-FDP3672

Fabr. N.º:

FDP3672

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V

Hoja de datos:

FDP3672 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	1,10 €	110,00 €
	0,894 €	447,00 €
	0,78 €	780,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	105 V
Id: corriente de drenaje continuo:	41 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	25 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	37 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	135 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	27 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	48 ns
Serie:	FDP3672
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	24 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Alias de parte #:	FDP3672_NL
Peso unitario:	2 g

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Hoja de datos

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Estados Unidos

El país puede cambiar en el momento del envío.

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