FDP150N10

onsemi
512-FDP150N10
FDP150N10

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Pedido:
800
Fecha prevista: 17/03/2027
Plazo de producción de fábrica:
27
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,93 € 2,93 €
1,42 € 14,20 €
1,25 € 125,00 €
1,08 € 540,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
57 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
69 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
PowerTrench
Tube
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 83 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 164 ns
Serie: FDP150N10
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 86 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 47 ns
Peso unitario: 2 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Estados Unidos
El país puede cambiar en el momento del envío.