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FDD86102

Name: onsemi FDD86102
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD86102
Price: 2.36 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

512-FDD86102

Fabr. N.º:

FDD86102

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

Hoja de datos:

FDD86102 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,36 €	2,36 €
	1,52 €	15,20 €
	1,04 €	104,00 €
	0,834 €	417,00 €
	0,776 €	776,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,725 €	1.812,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	19 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.1 V
Qg (carga de compuertas):	13.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Pd (disipación de potencia):	3.1 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Transconductancia delantera: mín.:	21 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDD86102
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	330 mg

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi / Fairchild FDD86102 N-Channel PowerTrench^® MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This MOSFET features fast switching speed and high power and current handling capability in a widely used surface mount package. The onsemi / Fairchild FDD86102 MOSFET is optimized for low r_DS(on), switching performance, and ruggedness. Typical application includes DC/DC conversion.

MOSFET PowerTrench®

Fairchild ofrece la gama de MOSFET PowerTrench® más amplia del sector. Elija entre las diferentes tecnologías para obtener el MOSFET adecuado para su aplicación. Fairchild ofrece versiones de canal N y canal P de los MOSFET con su avanzado proceso Power Trench®, que ha sido optimizado para un rendimiento de conmutación R_DS(ON) bajo y para mejorar su resistencia. Estos MOSFET PowerTrench® se ofrecen con opciones para satisfacer las necesidades de la mayoría de aplicaciones, como conmutadores de carga, conmutación primaria, dispositivos móviles, convertidores CC-CC, rectificadores síncronos y mucho más.
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