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FCP36N60N

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Mouser REF:

512-FCP36N60N

Fabr. N.º:

FCP36N60N

Fabr.:

onsemi

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	36 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	90 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	86 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	312 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SupreMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	41 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Serie:	FCP36N60N
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	94 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	23 ns
Peso unitario:	2 g