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FCP165N65S3

Name: onsemi FCP165N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-FCP165N65S3
Price: 3.92 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-FCP165N65S3

Fabr. N.º:

FCP165N65S3

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm

Hoja de datos:

FCP165N65S3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	19 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	165 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	39 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	154 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Serie:	SuperFET3
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	53 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	21 ns
Peso unitario:	2 g

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Hoja de datos

FCP165N65S3 Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.