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AFGY120T65SPD

Name: onsemi AFGY120T65SPD
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGY120T65SPD
Price: 12.15 EUR
Availability: InStock

Mouser REF:

863-AFGY120T65SPD

Fabr. N.º:

AFGY120T65SPD

Fabr.:

onsemi

Descripción:

IGBT FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE

Hoja de datos:

AFGY120T65SPD Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	160 A
Pd (disipación de potencia):	714 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGY120T65SPD
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

AFGY120T65SPD Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

AFGYx Field Stop Trench IGBTs

onsemi AFGYx Field Stop Trench IGBTs are AEC-Q101 qualified and feature very low conduction and switching losses. These features allow for a high-efficiency operation in various applications, rugged transient reliability, and low EMI.