AFGY100T65SPD

onsemi
863-AFGY100T65SPD
AFGY100T65SPD

Fabr.:

Descripción:
IGBT FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE

Modelo ECAD:
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En existencias: 1.771

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
10,71 € 10,71 €
6,45 € 64,50 €
6,04 € 724,80 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3LD
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
660 W
- 55 C
+ 175 C
AFGY100T65SPD
Tube
Marca: onsemi
País de ensamblaje: CN
País de difusión: KR
País de origen: CN
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: IGBTs
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99