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C2M0080120D

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Mouser REF:

941-C2M0080120D

Fabr. N.º:

C2M0080120D

Fabr.:

Wolfspeed

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Fabr.:

Wolfspeed

Fabr. N.º:

C4D20120A

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 20A

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	31.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	98 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	71 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	208 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	21 ns
Transconductancia delantera: mín.:	3.9 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Power MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	34 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	23.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Peso unitario:	6 g