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SIC632CD-T1-GE3

Name: Vishay SIC632CD-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIC632CD-T1-GE3
Price: 2.42 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIC632CD-T1-GE3

Fabr. N.º:

SIC632CD-T1-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Controlador de puerta 50A, 4.5V - 24V DrMOS VRPower

Hoja de datos:

SIC632CD-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,42 €	2,42 €
	1,81 €	18,10 €
	1,65 €	41,25 €
	1,48 €	148,00 €
	1,40 €	350,00 €
	1,38 €	690,00 €
	1,33 €	1.330,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,26 €	3.780,00 €
	1,23 €	7.380,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
REACH - SVHC:
Producto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPak-31
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	50 A
Tensión del suministro - Mín:	4.5 V
Tensión del suministro - Máx:	24 V
Configuración:	Non-Inverting
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	SIC
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Voltaje de entrada - Máx:	24 V
Voltaje de entrada - Mín:	4.5 V
Corriente de suministro operativa:	525 uA
Tipo de producto:	Gate Drivers
Apagado:	Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	VRPower
Peso unitario:	3,439 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Etapa de potencia integrada de la serie SiC6xx DrMOS

La etapa de energía integrada DrMOS SiC620 de Vishay Semiconductors está optimizada para aplicaciones tipo buck síncronas para ofrecer alta tensión, gran eficacia y rendimiento de alta densidad de potencia. El SiC620, ofrecido en un paquete MLP de 5 mm x 5 mm patentado por Vishay, permite diseños de regulador de tensión de hasta 60 A de corriente continua por fase. Los MOSFET de alimentación internos utilizan la moderna tecnología TrenchFET Gen IV de Vishay que ofrece un rendimiento de referencia en el sector mediante la reducción significativa de las pérdidas de conmutación y conducción.

El SiC620 incorpora un CI de controlador de compuerta MOSFET que ofrece una gran capacidad de control de corriente, control de tiempo muerto adaptativo, un diodo Schottky bootstrap integrado, y un aviso térmico (THWn) que alerta al sistema de la excesiva temperatura de unión y detección de corriente cero para mejorar la eficacia con carga ligera. Los controladores también son compatibles con una amplia gama de controladores PWM y admiten PWM de tres estados, lógica PWM de 3,3 V (SiC620A) / 5 V (SiC620).
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Etapa de energía integrada VRPower DrMOS

Vishay Semiconductors VRPower DrMOS Integrated Power Stages are optimized for synchronous buck applications to offer high current, high efficiency, and high power density performance. Packaged in Vishay's proprietary MLP package, SiC series power stages enable the voltage regulator designs to deliver continuous current per phase. The series incorporates an advanced MOSFET gate driver IC that features high current driving capability, adaptive dead-time control, integrated Schottky diode, and zero current detection to improve light load efficiency.
Learn More

Optically Isolated MOSFET Drivers

Vishay Optically Isolated MOSFET Drivers provide the voltage required to drive the gate of a low-voltage MOSFET. The gate voltage is generated by photovoltaic cells, and no power supply is needed on the output side. This simplifies designs when using low-voltage MOSFETS. The single channel VOM1271T provides 8.4 V output voltage with an input forward current of just 10mA. The dual channel VO1263AACTR provides 14.5V output voltage.