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SIHL080N65SF-GE3

Name: Vishay SIHL080N65SF-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIHL080N65SF-GE3
Price: 5.01 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIHL080N65SF-GE3

Fabr. N.º:

SIHL080N65SF-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247AD-4L
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	46 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	80 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	91 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	403 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia delantera: mín.:	20 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	26 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	107 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	41 ns