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SIHG110N65SF-GE3

Name: Vishay SIHG110N65SF-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIHG110N65SF-GE3
Price: 4.15 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIHG110N65SF-GE3

Fabr. N.º:

SIHG110N65SF-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247AC-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	33 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	115 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	83 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	313 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	21 ns
Transconductancia delantera: mín.:	26 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	50 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	100 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns