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SIDR668ADP-T1-RE3

Name: Vishay SIDR668ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIDR668ADP-T1-RE3
Price: 2.7 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIDR668ADP-T1-RE3

Fabr. N.º:

SIDR668ADP-T1-RE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8DC

Hoja de datos:

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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,70 €	2,70 €
	1,79 €	17,90 €
	1,25 €	125,00 €
	1,06 €	530,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,04 €	3.120,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8DC
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	104 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.8 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	42 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	85 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Serie:	SIDR
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	36 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	21 ns
Peso unitario:	750 mg

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REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs

Vishay TrenchFET^® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs feature top-side cooling and offer an additional venue for thermal transfer. These MOSFETs come in the PowerPAK^® SO-8DC package. The TrenchFET double cooling MOSFETs offer variants with different drain-source breakdown voltages of 25V, 30V, 40V, 60V, 80V, 100V, 150V, and 200V. These N-channel MOSFETs operate at a temperature range from -55°C to 150°C. The TrenchFET MOSFETs can be utilized for product-specific applications including synchronous rectification, DC/DC conversion, power supplies, battery management, and others.

MOSFET de canal N TrenchFET Gen IV

Los MOSFET de canal N TrenchFET® Gen IV deVishay Siliconix son MOSFET de alimentación de canal N de la familia TrenchFET® de última generación de Vishay. Estos nuevos dispositivos utilizan un diseño de alta densidad y los SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP, y SiSA04DN ofrecen la resistencia de encendido más baja del sector de 1,35 mΩ a 4,5 V, y una baja carga de compuerta total en los paquetes SO-8 y 1212-8 PowerPAK®. Sus prestaciones incluyen un R_DS(activo)bajo, que adapta la tensión a menores pérdidas de conducción para reducir el consumo de energía, una relación Q_dg/Q_gs muy baja de 0,5 o inferior, y los paquetes 1212-8 PowerPAK® con una eficiencia similar y un tercio de su tamaño. Las aplicaciones habituales incluyen convertidores CC/CC de alta potencia, rectificación síncrona, convertidores de tipo buck síncronos y OR-ing.
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