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SI1416EDH-T1-GE3

Name: Vishay SI1416EDH-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI1416EDH-T1-GE3
Price: 0.5 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SI1416EDH-T1-GE3

Fabr. N.º:

SI1416EDH-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC70-6

Hoja de datos:

SI1416EDH-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,507 €	0,51 €
	0,314 €	3,14 €
	0,201 €	20,10 €
	0,151 €	75,50 €
	0,134 €	134,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,115 €	345,00 €
	0,105 €	630,00 €
	0,104 €	936,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

SI1416EDH-T1-BE3

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,51 €

Min:

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Fabr.:

Vishay / Siliconix

Fabr. N.º:

SI1416EDH-T1-BE3

Descripción:

MOSFET SOT363 N-CH 30V 3.9A

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-363-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	58 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.4 V
Qg (carga de compuertas):	12 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.56 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	50 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	30 ns
Serie:	SI1
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	1.5 ns
Alias de parte #:	SI1416EDH-T1-BE3 SI1410EDH-T1-E3-S SI1410EDH-T1-GE3 SI1426DH-T1-E3-S
Peso unitario:	7,500 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7