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IRFRC20PBF-BE3

Name: Vishay IRFRC20PBF-BE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-IRFRC20PBF-BE3
Price: 2.33 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-IRFRC20PBF-BE3

Fabr. N.º:

IRFRC20PBF-BE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET TO252 600V 2A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

IRFRC20PBF-BE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	2,33 €	2,33 €
	1,51 €	15,10 €
	1,03 €	103,00 €
	0,825 €	412,50 €
	0,765 €	765,00 €
	0,714 €	2.142,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.4 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	18 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	42 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Vishay Semiconductors
Tiempo de caída:	25 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	23 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	23 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.