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IRFR9014PBF

Name: Vishay IRFR9014PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR9014PBF
Price: 1.29 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

844-IRFR9014PBF

Fabr. N.º:

IRFR9014PBF

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET TO252 P-CH 60V 5.1A

Hoja de datos:

IRFR9014PBF Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	0,44 €	4,40 €
	0,406 €	40,60 €
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	0,348 €	348,00 €
	0,34 €	1.020,00 €
	0,308 €	1.848,00 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

IRFR9014TRLPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,78 €

Min:

Fabr. N.º Ref.:

IRFR9014TRPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,96 €

Min:

Fabr. N.º Ref.:

IRFR9014PBF-BE3

Embalaje:

Bulk

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,73 €

Min:

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Vishay Semiconductors

Fabr. N.º:

IRFR9014PBF-BE3

Descripción:

MOSFET TO252 P-CH 60V 5.1A

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	5.1 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	500 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	12 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	63 ns
Serie:	IRFR/U
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	9.6 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Peso unitario:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3