Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

IRFR220TRPBF-BE3

Name: Vishay IRFR220TRPBF-BE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-IRFR220TRPBF-BE3
Price: 1.82 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

78-IRFR220TRPBF-BE3

Fabr. N.º:

IRFR220TRPBF-BE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

IRFR220TRPBF-BE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Vishay Semiconductors IRFR220TRPBF-BE3

En existencias: 20.902

Existencias:: 20.902 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,82 €	1,82 €
	1,17 €	11,70 €
	0,788 €	78,80 €
	0,627 €	313,50 €
	0,587 €	587,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	0,531 €	1.062,00 €
	0,507 €	2.028,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	200 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4.8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	800 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	14 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	42 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay Semiconductors
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7.2 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Technical Resources

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.