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TK9R7A15Q5,S4X

Name: Toshiba TK9R7A15Q5,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK9R7A15Q5S4X
Price: 3.39 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK9R7A15Q5S4X

Fabr. N.º:

TK9R7A15Q5,S4X

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

TK9R7A15Q5,S4X Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	3,39 €	3,39 €
	1,93 €	19,30 €
	1,61 €	161,00 €
	1,56 €	780,00 €
	1,53 €	1.530,00 €
	1,50 €	3.750,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220SIS-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	49 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	9.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	50 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	45 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	36 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	42 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	68 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	69 ns

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Hoja de datos

TK9R7A15Q5,S4X Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.