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TK9J90E,S1E

Name: Toshiba TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK9J90ES1E
Price: 3.42 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK9J90ES1E

Fabr. N.º:

TK9J90E,S1E

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

Hoja de datos:

TK9J90E,S1E Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	1,94 €	19,40 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-3P
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	900 V
Id: corriente de drenaje continuo:	9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.3 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	46 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	250 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MOSVIII
Empaquetado:	Tray
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	35 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	40 ns
Serie:	TK9J90E
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	140 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	80 ns
Peso unitario:	1,600 g

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Hoja de datos

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.