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TK7R2E15Q5,S1X

Name: Toshiba TK7R2E15Q5,S1X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK7R2E15Q5S1X
Price: 3.23 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK7R2E15Q5S1X

Fabr. N.º:

TK7R2E15Q5,S1X

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

TK7R2E15Q5,S1X Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	3,23 €	3,23 €
	1,87 €	18,70 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	84 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	66 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	230 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	66 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	66 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	110 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	96 ns

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Hoja de datos

TK7R2E15Q5,S1X Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.