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TK4A53D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK4A53D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK4A53DSTA4QM
Price: 1.62 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK4A53DSTA4QM

Fabr. N.º:

TK4A53D(STA4,Q,M)

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm

Hoja de datos:

TK4A53D(STA4,Q,M) Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	1,03 €	10,30 €
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	0,559 €	279,50 €
	0,489 €	489,00 €
	0,45 €	1.125,00 €
	0,409 €	2.045,00 €
	0,404 €	4.040,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220FP-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	525 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.7 Ohms
Pd (disipación de potencia):	35 W
Nombre comercial:	MOSVII
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	TK4A53D
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	2 g

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Hoja de datos

TK4A53D(STA4,Q,M) Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.