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TK3A65DA(STA4,QM)

Name: Toshiba TK3A65DA(STA4,QM)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK3A65DASTA4QM
Price: 1.77 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK3A65DASTA4QM

Fabr. N.º:

TK3A65DA(STA4,QM)

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

Hoja de datos:

TK3A65DA(STA4,QM) Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	0,85 €	8,50 €
	0,761 €	76,10 €
	0,584 €	292,00 €
	0,502 €	502,00 €
	0,491 €	2.455,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220FP-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.51 Ohms
Pd (disipación de potencia):	35 W
Nombre comercial:	MOSVII
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	TK3A65DA
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	2 g

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Application Notes

Product Catalogs

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.