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TK39A60W,S4VX

Name: Toshiba TK39A60W,S4VX
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK39A60WS4VX
Price: 8.72 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK39A60WS4VX

Fabr. N.º:

TK39A60W,S4VX

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

Hoja de datos:

TK39A60W,S4VX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	4,86 €	48,60 €
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	4,36 €	2.180,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220FP-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	38.8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	55 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.7 V
Qg (carga de compuertas):	110 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	50 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DTMOSIV
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	50 ns
Serie:	TK39A60W
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	200 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	80 ns
Peso unitario:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.