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TK20V60W5,LVQ

Name: Toshiba TK20V60W5,LVQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK20V60W5LVQ
Price: 3.53 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK20V60W5LVQ

Fabr. N.º:

TK20V60W5,LVQ

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET Power MOSFET N-Channel

Hoja de datos:

TK20V60W5,LVQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,53 €	3,53 €
	2,71 €	27,10 €
	1,94 €	194,00 €
	1,82 €	910,00 €
	1,64 €	1.640,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,55 €	3.875,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN8x8-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	156 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	55 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	156 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DTMOSIV
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	45 ns
Serie:	TK20V60W5
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	100 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	90 ns
Peso unitario:	175 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.