TK20N60W5,S1VF
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Fabr.:
Descripción:
MOSFET Power MOSFET N-Channel
En existencias: 98
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Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
-
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Precio (EUR)
| Cant. | Precio unitario |
Precio total
|
|---|---|---|
| 4,65 € | 4,65 € | |
| 2,70 € | 27,00 € | |
| 2,24 € | 268,80 € | |
| 1,96 € | 999,60 € |
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of Operational Amplifiers and Comparators
- Designing of Low Power Op Amps for Dust Sensor
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- Low-Noise CMOS Operational Amplifider Ideal for Sensor Signal Amplification
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Signal Gain and Noise Gain of the Op-Amp
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
España
