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TK16J60W,S1VE

Name: Toshiba TK16J60W,S1VE
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16J60WS1VE
Price: 5.72 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK16J60WS1VE

Fabr. N.º:

TK16J60W,S1VE

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Hoja de datos:

TK16J60W,S1VE Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	3,40 €	34,00 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-3PN-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	15.8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	190 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.7 V
Qg (carga de compuertas):	38 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	130 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DTMOSIV
Empaquetado:	Tray
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	100 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	50 ns
Peso unitario:	4,600 g

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Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.